据说台湾积体电路制造的7纳米微处理器大大落后于三星电子，夺走了高通的7纳米处理器的大规模单一。 据韩国新闻报道，三星牙痒，想直接攻击6纳米工艺来平定城市。

韩国媒体etnews27日报道，台湾积体电路制造最大花费精力进行10纳米的研发，7纳米的跳跃策略奏效，窃取了三星的高通订单。 三星直接攻击基于10纳米到7纳米的6纳米工艺，以2019年量产6纳米为目标而愤怒。 三星晶片代工部门救不了旋转票，焦点是6纳米，今年设置了2台接近紫外光(EUV )微影设备“NXE3400B”，明年还没有设置7台。

三星通过引进EUV可以增加掩模层数，节约成本。 最初的7纳米工艺不用于EUV，也用于ArF浸液设备，处理时间长，成本也高。 据半导体业界相关人士介绍，三星电子曾经跳过20纳米，跳到14纳米，成功了。 台湾积体电路制造也跳过了10纳米，加入了7纳米的军队，获得了市场顶级机器。

三星现在销售EUV设备，与台湾积体电路制造白热化战斗。 据etnews报道，三星想在2019年量产6纳米。

台湾积体电路制造计划在2018年量产7纳米，在第二代7纳米工艺中用于EUV机台，计划在2019年量产第二代7纳米芯片。：宝盈用户注册。

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